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实测干货分享!1200V GaN HEMT功率器件动态个性测试
Wanbo| 2023-07-18|Return to List
      GaN HEMT功率器件实测及其测试当苦衷项。氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表,拥有极快的开关速度,可能显著提升功率变换器的机能,受到电源工程师的青睐。同时,极快的开关速杜字对其动态个性的测试提出了更高的要求,稍有失慎就会得到谬误了局。

为了可能实现对GaN HEMT功率器件动态个性进行精准测试,对应的测试系统往往必要把稳以下几点。(实测视频见文中~)

1. 丈量设备拥有足够的带宽,确?毓滩槐宦瞬

针对此要求,泰克科技的功率器件动态个性测试系统DPT1000A中配置了业内当先的示波器MSO5(1GHz带宽)、光隔离探头TIVP1(1GHz带宽)、高压无源探头TPP0850(800MHz带宽)、Shunt(500MHz带宽)

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2. 探头与丈量点之间实现幼回路衔接,减幼丈量回路中额表引入的寄生参数,预防丈量了局中出现并不存在的震荡或其他异常波形

3. 节造测试板中功率回路和驱动回路的电感,预防开关波形出现严沉震荡或超出器件安全工作领域

针对要求2和3,泰克科技为GaN HEMT功率器件提供了专用测试板以确保测试成效,其拥有以下特点:

a. 元器件布局紧凑、驱动电路靠近器件,尽量减幼功率回路和驱动回路电感

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b. 针对分歧封装类型的器件,提供焊接和压接两种大局,既能够预防传统Socket引入过量的寄生电压,又可能确保器件牢固靠得住

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c. 光隔离探头TIVP1、高压无源探头TPP0850与PCB衔接时选取专用测试座,尽量削减了引入丈量回路的电感,同时还确保了丈量的沉复性

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以TO-252测试板为例,我们能够看到其上的各职能?

下管器件:量芯微的1200伏氮化镓器件GPIHV15DK

上管器件:TO-252封装的1200伏碳化硅二极管

测试点:栅极的信号的测试点,主回路电流的测试点,源漏极Vds的电压的测试点

 

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泰克科技

泰克DPT1000A功率器件动态个性测试系统集成了MSO58B高分辨率多通路示波器、光隔离探头以及双通路的肆意波形产生器等产品,可实现:

- 定造化系统设计 & 自动化测试软件

- 高带宽/高分辨率测试设备 , 在高速开关前提下正确表征功率器件

- 覆盖高压、中压、低压、pmos、GaN 等分歧类型,分歧封装芯片测试

- 能够提供单脉冲、双脉冲、反向复原、Qg、短路测试等测试职能

传统氮化镓器件多用于消费类电子市场,研发高压氮化镓器件将有助于在电力电子,新能源和电动汽车行业启发新的利用市场。量芯微(GaNPower)是全球第一家推出1200V高压硅基氮化镓功率器件的厂家。这次测试的1200伏TO-252封装的氮化镓器件GPIHV15DK,在市场上拥有标志性意思,传统的氮化镓功率器件高电压普遍停顿在低压利用。进入到1200V意味着氮化镓器件在800伏电驱或其他高压利用大将阐扬沉要作用,同时相迸宗碳化硅器件,在成本上也会有更大的优势,证明未来高压氮化镓器件在工业和能源利用市场将会有更大的发展空间。

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